Метод Чохральского, названный в честь польского ученого Яна Чохральского, который изобрел его в 1916 году, является основным методом выращивания монокристаллов кремния и германия. Этот метод включает расплавление полупроводникового материала в тигле и медленное извлечение затравочного кристалла из расплава. Когда затравочный кристалл вытягивается вверх, он увлекает за собой расплавленный материал, что приводит к образованию твердого монокристалла.